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成像学

聚焦离子双光束(FIB)

聚焦离子双光束(FIB)仪器使用精细聚焦的离子束来修改和成像感兴趣的样品。聚焦离子双光束FIB主要用于创建非常精确的样品横截面,以便通过SEM,STEM或TEM进行后续成像或进行电路修改。此外,聚焦离子双光束FIB成像可用于直接对样品进行成像,检测来自离子或电子束的发射电子。聚焦离子双光束FIB的对比机制与SEM或STEM不同,因此在某些情况下可以获得独特的结构信息。聚焦离子双光束FIB/SEM将这两种技术集成到一个工具中,而单光束FIB仅包含离子束,电子束成像在单独的SEM,STEM或TEM仪器中进行。

产品详情

作为样品制备工具,聚焦离子双光束FIB可以准确地产生样品的横截面,否则无法创建:

  • ◆ 聚焦离子双光束FIB分析彻底改变了TEM样品的样品制备,使识别亚微米特征和精确制备横截面成为可能。

  • ◆ 聚焦离子双光束FIB制备的切片广泛用于SEM显微镜,其中聚焦离子双光束FIB制备,SEM成像和元素分析可以使用相同的多技术工具进行。

  • ◆ 聚焦离子双光束FIB制备的切片也用于俄歇电子能谱,以快速准确地提供地下特征的元素鉴定。

  • ◆ 它是检测具有小而难以接近特征的产品的理想工具,例如半导体工业中的产品以及亚表面颗粒鉴定。

  • ◆ 对于难以横截面的产品来说,这是一个不错的选择,例如难以抛光的软聚合物。

FIB理想用途

  • ◆ 扫描电镜、STEM 和透射电镜样品制备

  • ◆ 难以接近的小型样品特征的高分辨率横截面图像

  • ◆ 通过原位提升进行微量取样

FIB优势强项

  • ◆ 横截面小目标的最佳方法

  • ◆ 快速、高分辨率成像

  • ◆ 良好的颗粒对比度成像

  • ◆ 支持许多其他工具的多功能平台

FIB缺点限制

  • ◆ 通常需要真空兼容性

  • ◆ 成像可能会破坏后续分析

  • ◆ 分析面上的残留Ga

  • ◆ 离子束损坏可能会限制图像分辨率

  • ◆ 截面积小

FIB技术规格

  • ◆ 检测到的信号:

  • 电子、二次离子、X射线、光(阴极发光)

  • ◆ 成像/映射:

  • ◆ 横向分辨率/探头尺寸:

  • 7 nm(离子束);20 nm(电子束)

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