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理化学

电子故障分析

中蓉提供故障分析服务,以支持客户实现高质量和可靠产品的需求。我们对这一目标的承诺体现在提供综合工程服务的单一来源上。中蓉提供全面的服务,并且通过我们在各地的实验室位置在可访问性方面无与伦比。

产品详情

我们的目标是利用我们在故障分析方面的专业知识和经验准确确定故障原因。我们开发了一种已被证明有效和高效的方法,但允许我们定制流程以满足您的需求。除了特定的技术和分析外,我们还可以提供量身定制的支持级别,以满足您的项目、运营和业务需求,并有能力支持全面的根本原因调查。结合我们的专家解释和工程评估,我们为调查和故障原因提供关键的分析见解。

IC和组件的故障分析

随着产品和技术变得越来越复杂,IC和其他组件的故障分析在产品开发周期和改进当前产品方面起着至关重要的作用。中蓉拥有工程专业知识,以及对高级故障分析工具和设备的大量投资,可帮助您解决最复杂的问题。我们可以提供最佳的分析技术和专业知识,以领导对各种样品、技术学科和行业的调查。

中蓉的故障分析支持从工程师对工程师的互动开始,以讨论和全面了解您的问题,挑战,目标和紧迫性。中蓉工程师在当今的先进技术和产品方面知识渊博,经验丰富,是故障分析方面的专家。

技术

  • ◆ 我们使用一种集中的方法,旨在包括一种或多种特定的分析技术来理解、表征或确定定义的任务/需求。

  • ◆ 我们执行定义和既定的分析范围,其中可能包括故障验证、无损包装完整性检查、目视检查、故障隔离以及故障机制的物理识别和表征。

  • ◆ 我们领导一个复杂的项目,以确定故障的根本原因,定义纠正措施,设计/产品验证或改进以及其他高级工程支持。

IC和组件的故障分析

中蓉的故障分析团队由一支技术精湛的专业工程师组成,他们具有广泛的背景和经验,来自不同行业,包括半导体,医疗设备,航空航天,军事,汽车,激光,太阳能和制造。

我们每天都在为创新型公司提供支持,为我们提供独特的机会来接触尖端技术挑战,并提升我们的专业知识,以直接解决这些问题,包括:

  • 器件和技术:

  • ASIC、图像传感器、分立器件、无源器件、射频、微机电系统、MOSFET、医疗设备组件、PCB、3D 封装、高级 CMOS、III-V、砷化镓、激光二极管、LED、太阳能电池

  • 产品生命周期:

  • 设计调试、可靠性代工厂、封装组装、最终测试良率、现场/客户退货

  • 系统级分析:

  • 参数测试、PCBA、焊点完整性、设计评估

  • 建筑和竞争对手分析

  • 假冒/真伪

  • 材料分析:

  • 横截面、拆解

  • 故障重现

  • 技术咨询

我们利用中蓉实验室内广泛的分析学科来提供全面的解决方案和结果,包括:

电气分析

  • ◆ 电气验证(ATE、台架测试、温度、器件表征)

  • ◆ 曲线曲线(IV系列曲线)

  • ◆ 参数和功能测试

  • ◆ 产品验证

  • ◆ 射频表征

  • ◆ 时域反射计 (TDR)

  • ◆ 传输线脉冲 (TLP)

封装完整性

  • ◆ 外部光学检查

  • ◆ 扫描声学显微镜 (SAM)

  • ◆ 实时 X 射线分析

  • ◆ 热测量和映射

解封

  • ◆ 激光解封

  • ◆ 激光烧蚀

  • ◆ 铜丝

  • ◆ 先进封装(堆叠芯片、多芯片模块、嵌入式器件、安装在 PCB 上)

  • ◆ 从模块中提取光热和重新球

  • ◆ 模具提取

  • ◆ 堆叠模具分离

  • ◆ 喷射蚀刻/化学

  • ◆ 机械去盖

  • ◆ 氧等离子体

光学检测

  • ◆ 明场和暗场成像

  • ◆ 诺马尔斯基微分干涉对比 (DIC)

  • ◆ 通过硅进行近红外检测

物理分析

  • ◆ 反应离子刻蚀 (RIE)

  • ◆ 脱层/脱层(化学和机械)

  • ◆ 扫描电子显微镜(扫描电镜,铁电镜)

  • ◆ 能量色散 X 射线光谱 (EDS) 点、点图和线扫描

  • ◆ 扫描透射电子显微镜 (STEM)

  • ◆ 具有GDS导航和EDS分析功能的双光束聚焦离子束(DB FIB)

  • ◆ 离子研磨和抛光

  • ◆ 冶金横截面(模具、封装、印刷电路板、产品)

  • ◆ 染料和撬动(焊点完整性)

  • ◆ 粘接强度测试(拉力和剪切力)

  • ◆ 结构和竞争对手分析(工艺技术和节点)

故障隔离

  • ◆ 背面样品制备和分析

  • ◆ 激光信号注入显微镜(XIVA,OBIRCH,锁定模式,1340 nm,1064 nm)

  • ◆ 红外 (IR) 热成像(脉冲调制模式、热点、温度图)

  • ◆ 发光显微镜(LEM)或EMMI(InGaAs,深度耗尽CCD)

  • ◆ 显微探测和皮孔探测

  • ◆ FIB电路编辑和探测点

  • ◆ 掺杂剂分析(法新社SCM)

设备级示例

  • ◆ 制造缺陷

  • ◆ 封装完整性和组装问题

  • ◆ 芯片附着异常

  • ◆ 热测量

  • ◆ 晶圆级芯片级封装 (WLCSP)

  • ◆ 倒装芯片焊点、铜柱和底部填充表征

  • ◆ 引线键合和焊球强度测试

  • ◆ 单片机中路接口模块

  • ◆ 堆叠模具组件

  • ◆ BLR(板级可靠性、秒级可靠性)分析

  • ◆ 金属间分析

  • ◆ 光热发电提取和重新球

芯片级示例

  • ◆ 晶圆厂工艺缺陷

  • ◆ 提高产量

  • ◆ 电气特性

  • ◆ 温度测绘/测量

  • ◆ 电气过应力 (EOS) 评估

  • ◆ 电迁移

  • ◆ ESD 和闩锁故障调查

  • ◆ 栅氧化层击穿

  • ◆ 设计调试/FIB电路编辑

  • ◆ 电路/布局分析

  • ◆ 鳍式场效应晶体管技术

系统或产品级示例

  • ◆ 装配缺陷

  • ◆ 制造、生产和PCBA故障

  • ◆ 焊点完整性(金属间材料化合物 – IMC)

  • ◆ 污染/腐蚀分析

  • ◆ 材料表征

  • ◆ 可靠性调查

  • ◆ 质量评估

  • ◆ 逆向工程

  • ◆ 故障诊断

  • ◆ 现场/客户退货

系统级示例

  • ◆ 智能电表

  • ◆ 电源适配器

  • ◆ 安全闩锁机构

  • ◆ 发光二极管灯具

  • ◆ 温度压力传感器

  • ◆ 人工耳蜗植入

  • ◆ 手术器械控制器

  • ◆ 触摸屏显示器

  • ◆ 指纹传感器

  • ◆ 汽车转向传感器总成

  • ◆ 涡轮控制板


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