SEM-CL理想用途

• ◆ 材料表征 – 晶体缺陷、带隙测定、带隙内陷阱状态、成分、掺杂剂

• ◆ 半导体故障分析 – 设备内的缺陷定位，以进行更深入的故障分析 （FA）

SEM-CL的优势

• ◆ 提供有关材料光学和电子特性的高度本地化信息

• ◆ 不需要电气连接

SEM-CL局限性

• ◆ 需要发光材料——半导体、聚合物、绝缘体、金属光子结构

• ◆ 需要更小的样品，没有大于 1“ 直径的完整晶圆 – 3 mm 高度限制

• ◆ 大量的形貌，特别是不均匀的表面粗糙度，会使CL收集和对比度解释更加困难。光滑样品是首选

• ◆ 在分析之前，必须去除设备表面上的厚（μms）金属触点。这通常可以通过仔细的化学蚀刻或在特定区域通过聚焦离子束（FIB）来完成

• ◆ 局部掺杂剂表征是可能的，但需要仔细选择标准品

SEM-CL技术规格

• ◆ 检测到的信号：

• 同时二次电子 （SE） 和阴极发光 （CL）

• ◆ 检测到的波长：

• 250-1500 nm

• ◆ 成像/映射：

• 是

• ◆ 横向分辨率：

• 通常在 20-500 nm 之间变化，具体取决于 SEM 条件和样品成分/拓扑结构

SEM-CL相关资源

• ◆ 网络研讨会：SEM-CL

• ◆ 网络研讨会：SEM-EDS

• ◆ 应用说明：高级显微镜